Intel展示全新3D晶体管：氮化镓都用上了！
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发布时间: 2023-12-11 10:38
正文摘要:2023 IEEE国际电子器件会议(IEDM 2023)上，Intel展示了多项新的半导体技术突破，继续推进摩尔定律。 一是3D堆叠CMOS晶体管，一种栅极间距垂直堆叠互补场效应晶体管(CFET)，结合了背面供电(PowerVia)、直接背面触 ... |
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发布时间: 2023-12-11 10:38
正文摘要:2023 IEEE国际电子器件会议(IEDM 2023)上，Intel展示了多项新的半导体技术突破，继续推进摩尔定律。 一是3D堆叠CMOS晶体管，一种栅极间距垂直堆叠互补场效应晶体管(CFET)，结合了背面供电(PowerVia)、直接背面触 ... |